Wichtige Information

Informationen für die Bevölkerung in der Umgebung des Forschungs-reaktors (Download PDF-Datei, 2.8 MB)

Events

Willkommen auf den Seiten der Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH

 
Das Helmholtz-Zentrum Berlin (HZB) ist aus der Fusion des ehemaligen Hahn-Meitner-Instituts Berlin (HMI) und der Berliner Elektronenspeicherring-Gesellschaft für Synchrotronstrahlung (BESSY) hervorgegangen. Als Mitglied der Helmholtz-Gemeinschaft wird das HZB zu 90 Prozent vom Bund und zu 10 Prozent vom Land Berlin gefördert.

Für Forschungsarbeiten zur Struktur und Funktion der Materie betreibt das Helmholtz-Zentrum Berlin zwei wissenschaftliche Großgeräte: den Forschungsreaktor BER II für Experimente mit Neutronen und den Elektronenspeicherring BESSY II, der hochbrillante Synchrotronstrahlung vom Terahertz- bis in den Röntgenbereich erzeugt. Damit ist das HZB eines der wenigen Zentren weltweit, welches unter einem Dach Experimente mit Neutronen und mit Synchrotronstrahlung anbietet. Modernste Instrumentierungen und Labore bieten Wissenschaftlern aus aller Welt eine exzellente Forschungsinfrastruktur. Eine gemeinsame Nutzerplattform bietet ein einheitliches Verfahren, nach dem Messanträge gestellt und Proposals ausgewählt werden.

Im Forschungsbereich Solarenergie legen HZB-Wissenschaftler den Grundstein, damit Solarzellen der nächsten und übernächsten Generation den Markt erobern. Auf der Basis einer fundamentalen Grundlagenforschung entwickeln und untersuchen sie neue Materialklassen für Dünnschichtsolarzellen. Dünnschicht-Technologien werden bis zu einer Stufe entwickelt, an die die Industrieforschung anknüpfen kann. Als Mitbegründer des Kompetenzzentrums Photovoltaik (PVcomB) fördert das HZB den Technologie- und Wissenstransfer in die Industrie und widmet sich mit vielen Aktivitäten der Nachwuchsförderung.

News und Pressemitteilungen

12.07.2010

Wie sich Fußball-Moleküle unter Oberflächen schieben - HZB-Forscher beobachten atomare Vorgänge beim Dotieren von Halbleitermaterialien

Mikroskopische Aufnahme einer Graphenschicht auf Nickel-Substrat.<br /> Auf dem Bild links, aufgenommen bei einer beliebigen Vorspannung<br />der Mikroskopspitze sieht man nur dunkle Streifen. Erst wenn<br />die Vorspannung spektroskopisch gezielt auf die C60-Moleküle<br />abgestimmt wird (rechts), werden die Moleküle unter der Graphen-<br />schichtals Ursache für das Streifenmuster sichtbar.

Fulleren und Graphen, die beiden noch nicht lange bekannten Formen des Kohlenstoffs regen seit ihrer Entdeckung (Fulleren 1970, Graphen 2004) die Phantasie der Forscher an. Insbesondere mit Graphen wollen sie ein neues Kapitel der Elektronik beginnen, da das Halbleitermaterial eines Tages das Schlüsselelement Silizium ablösen könnte. Dazu muss man Graphen  - das ist eine einzelne Atomschicht Graphit - mit Fremdatomen dotieren können. Und zwar so, dass die wichtigen Struktureigenschaften des Graphens erhalten bleiben. Wissenschaftler des Helmholtz-Zentrums Berlin für Materialien und Energie (HZB) berichten in der Online-Vorabveröffentlichung der Ausgabe vom 10. August der Zeitschrift Advanced Materials (DOI: 10.1002/adma.201000695) über eine neue Mikroskopie-Technik. Mit ihr können sie zeigen, wie sich einzelne zum Dotieren verwendete Fulleren-Moleküle unter die Graphen-Schicht schieben, die zuvor auf einem Nickel-Substrat abgeschieden wurde. [...].

mehr  News und Pressemitteilungen