Zur Charakterisierung von Halbleiterober- und -grenzflächen auf der Nanometer-Längenskala werden neue Methoden entwickelt, die auf der Rastersondenmikroskopie (SPM) basieren. Das Kelvinsonden-Kraftmikroskop (KPFM) ist ein sehr leistungsfhiges Gerät zur Bestimmung von elektrostatischen Kräften und dem lokalen Kontaktpotential (CP) mit einer sehr hohen lateralen Auflösung.
Bislang sind solche Messungen hauptsächlich an Luft durchgeführt worden. Da aber eine quantitative Bestimmung des CP nur im Ultrahoch-Vakuum (UHV) möglich ist, haben wir ein kommerzielles UHV-SPM (Fa. Omicron) zu einem KPFM aufgerüstet. Zusätzliche ist eine PVD- Präparationskammer vorhanden, in der CuGaSe2-Absorber und CdS-Puffer Materialien unter UHV-Bedingungen verdampft und zur Analysekammer transferiert werden können. Ein VT-STM der Firma Omicron dient zusätzlich zur elektrischen Charakterisierung organischer und halbleitender Oberflächen auf atomarer Ebene.