Dynamik von Grenzflächenreaktionen (SE4)
Die Forschung des in Gründung befindlichen Instituts "Materialforschung für die Photovoltaik" fußt gegenwärtig auf dem Methodenspektrum der ehemaligen Abteilung "Dynamik von Grenzflächenreaktionen". Ziel ist die Entwicklung von photovoltaischen Bauelementen mit neuartigen Materialien und neuen Solarzellenkonzepten sowie die Implementierung neuer Dünnschichttechnologien bis hin zu fortschrittlichen Konzepten der Photovoltaik der dritten Generation. Nano- und Quantenstrukturen, organisch/anorganische Hybridsysteme sowie kritische, anorganische, planare Solarzellenstrukturen und Grenzflächen, wie die III-V/Silizium-Grenzfläche, werden präpariert und mit modernsten analytischen Methoden strukturell, elektronisch und optisch untersucht.
Zu den experimentellen Methoden gehören neben vielfältigen Methoden der Ober-und Grenzflächenphysik die zeitaufgelöste Laserspektroskopie von Femtosekunden bis Millisekunden, optische in-situ-Spektroskopie, hochauflösende Mikroskopie, nasschemische Präparation und die Präparation von III-V-Halbleiterstrukturen mit metallorganischer Gasphasenabscheidung (MOCVD). Alle präparativen und analytischen Methoden sind über ein mobiles Ultrahoch-Vakuum Transfersystem routiniert kontaminationsfrei verbunden und involvieren auch Messungen an entfernteren Ports wie bei BESSY.
