Die Ladungsträgerdynamik an Grenzflächen spielt eine wichtige Rolle bei allen Solarenenergie-umwandelnden Prozessen an Halbleitern. Zur Erforschung dieser Prozesse stehen eine Reihe von Techniken zur Verfügung, zum Beispiel:
Hiermit kann die Dynamik der Ladungsträger nach optischer Anregung im Nanosekundenbereich studiert werden.
Der Einfluss der Bandverbiegung auf Ladungsträger-Rekombination und –Transfer wird mit dieser Methode erforscht.

Abbildung des experimentellen Ausfbaus zur Ermittlung der (Photo)leitfähigkeit mit der Mikrowellenreflexionsmethode im X-Band-Bereich (9 - 12.4 GHz). Im Vordergrund ist ein Zirkulator (blau) zu erkennen, der die hinlaufenden von den rücklaufenden (reflektierten) Mikrowellen trennt. Der Wellenleiter (links) führen zur Messzelle , in der sich die zu untersuchende Probe befindet. Der Wellenleiter (rechts) führt zum Detektor (grün).