Laserkristallisation an Atmosphäre

Beschreibung der Anlage

Das Laserlabor bietet einen hochleistungsfähigen Dioden-Dauerstrichlaser, welcher bei einer Wellenlänge von 808 nm emittiert. Bei einer Linienlänge von etwas über 3 cm und einer Linienbreite von nur 170 µm (FWHM) bietet er die Möglichkeit verschiedenste Materialien und Materialstärken in einem sehr breiten Intensitätsspektrum zu bearbeiten. Somit können problemlos Annealing-, Schmelz- oder Verdampfungsprozesse verschiedenster Materialien oder Materialsysteme untersucht werden. Ein zweiter fasergekoppelter Dioden-Dauerstrichlaser mit einer Wellenlänge von 940 und 980 nm bietet zusätzlichen experimentellen Gestaltungsspielraum und bringt die nötige Flexibilität mit, um verschiedene Strahlprofile zur Materialbearbeitung zu untersuchen. Dank eines integrierten Dualachsen-Systems und eines thermischen Heizers, besteht die Möglichkeit, die Proben während der Bearbeitung präzise lateral zu verfahren und thermisch vorzuheizen. Im Fokus der aktuellen Arbeiten steht die Flüssigphasenkristallisation von dünnen Silizium-Schichten auf Glas für Solarzellen.