Technologietransfer-Projekt: Niedertemperaturpassivierung

Titel: Elektrochemische Konditionierung und Passivierung von Si- und SiGe-Oberflächen

Industrie-Bereiche:
Schicht- und Oberflächentechnik

Stichworte:
anodische Oxidation, Oberflächenpassivierung, SiGe

Kurzbeschreibung:
Die anodische Oxydation bei Raumtemperatur und anschließender Temperung bei 450 °C ist insgesamt ein Niedertemperaturprozeß und führt am Si zu reproduzierbaren Grenzflächenzustandsdichten von Dit,min » 2-3*E11e/V/cm^2. Er ist geeignet, Entmischungserscheinungen oder Strukturänderungen temperaturkritischer Systeme wie SiGe-Einkristalle oder Epitaxieschichten sowie µc-Si-Dünnschichten zu unterdrücken. Im Falle des SiGe wird die Ge-Segregation im Grenzflächenbereich im Vergleich zur thermischen Oxydation stark reduziert und führt zu einer Verbesserung der elektrischen Grenzflächeneigenschaften.

Letzte Änderung: 16.09.2014