Technologietransfer-Projekt: Schichtgitter-Halbleiter

Titel: Neue Materialien: Schichtgitter-Halbleiter MX2 (M=Mo,W, X=S,Se)

Industrie-Bereiche:
Elektronik und Optoelektronik, Schicht- und Oberflächentechnik

Stichworte:
MX2 (M=Mo,W, SX=S,Se), Schichtgitter-Halbleiter

Kurzbeschreibung:
Schichtgitter-Halbleiter verfügen über einen rund 10 - 50fach größeren Absorptionskoeffizienten für sichtbares Licht als Silizium und haben sich als ideale Systeme für die Strukturierung mit rastertunnelmikroskopischen Techniken erwiesen. Aufgrund ihrer besonderen Kristallstruktur ist es einfach möglich, atomar glatte Oberflächen zu präparieren, die der Nanostrukturierung sehr gut zugänglich sind. Diese Strukturen sind zeitlich stabil und können unter Umgebungsbedingungen erzeugt werden. In dem Projekt sollen die vorteilhaften photovoltaischen Eigenschaften und die sehr gute Nanostrukturierbarkeit der Schichtgitter-Halbleiter miteinander verknüpft und untersucht werden, welche neuen Bauteil-Konzepte sich im Rahmen einer zukünftigen Nano-Optoelektronik daraus ableiten lassen.

Letzte Änderung: 16.09.2014