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Electron Backscatter Diffraction (EBSD)
- dient der Feststellung der Orientierung der Elementarzelle in den Kristallen
- die rückgestreuten Elektronen werden an den Netzebenen der Kristalle gestreut
- aus den Beugungsbildern lässt sich die Kristallorientierung berechnen
- Einsatz eines OIM XM4-Systems der Firma EDAX-TSL mit maximaler Rastergeschwindigkeit von 75 fps
- Mikrostrukturuntersuchungen, Texturbestimmungen, Phasenanalysen
- die Proben müssen sehr eben und glatt sein
- die Informationstiefe beträgt nur wenige nm
Winkelverteilung zwischen den Körnern – bevorzugte Winkel z. B. Zwillinge durch diese Darstellung erkennbar
EBSD-Mapping einer rekristallisierten Si-Schicht, {100}-Vorzugsorientierung durch einheitlich rote Körner sichtbar

Inverse Polfigur der oben dargestellten Schicht
rot steht für maximale Anzahl der Orientierungen, blau für minimale