Electron Backscatter Diffraction (EBSD)

  • dient der Feststellung der Orientierung der Elementarzelle in den Kristallen
  • die rückgestreuten Elektronen werden an den Netzebenen der Kristalle gestreut
  • aus den Beugungsbildern lässt sich die Kristallorientierung berechnen
  • Einsatz eines OIM XM4-Systems der Firma EDAX-TSL mit maximaler Rastergeschwindigkeit von 75 fps
  • Mikrostrukturuntersuchungen, Texturbestimmungen, Phasenanalysen
  • die Proben müssen sehr eben und glatt sein
  • die Informationstiefe beträgt nur wenige nm

 

Winkelverteilung zwischen den Körnern – bevorzugte Winkel z. B. Zwillinge durch diese Darstellung erkennbar

 

 

EBSD-Mapping einer rekristallisierten Si-Schicht, {100}-Vorzugsorientierung durch einheitlich rote Körner sichtbar

Inverse Polfigur der oben dargestellten Schicht

rot steht für maximale Anzahl der Orientierungen, blau für minimale