Electron Backscatter Diffraction (EBSD)

dient der Feststellung der Orientierung der Elementarzelle in den Kristallen
die rückgestreuten Elektronen werden an den Netzebenen der Kristalle gestreut
aus den Beugungsbildern lässt sich die Kristallorientierung berechnen
Einsatz eines OIM XM4-Systems der Firma EDAX-TSL mit maximaler Rastergeschwindigkeit von 75 fps
Mikrostrukturuntersuchungen, Texturbestimmungen, Phasenanalysen
die Proben müssen sehr eben und glatt sein
die Informationstiefe beträgt nur wenige nm

Winkelverteilung zwischen den Körnern – bevorzugte Winkel z. B. Zwillinge durch diese Darstellung erkennbar

EBSD-Mapping einer rekristallisierten Si-Schicht, {100}-Vorzugsorientierung durch einheitlich rote Körner sichtbar

Inverse Polfigur der oben dargestellten Schicht

rot steht für maximale Anzahl der Orientierungen, blau für minimale