a-Si:H/c-Si Heterokontakt-Solarzellen (HETSI)

EU-Projekt (2008- 2011)

Das HETSI ( Hetero-junction solar cells based on a-Si:H / c-Si ) Projekt wurde von der Europäischen Gemeinschaft im Rahmen des 7. Rahmenprogramms gefördert (Förder-Nr. 211821) und forschte am Einsatz von amorph/kristallinen Heterokontakten (a‑Si:H/c‑Si) für Wafer-basierte Hocheffizienz-Solarzellen. Der Einsatz von Heteroübergängen ist ein Ansatz, um in der Silizium-Wafertechnologie hohe Zell-Effizienzen bei gleichzeitig hohem Durchsatz in der Produktion zu erzielen. Hauptziel des HETSI-Projekts war das Erreichen einer Energie-Wandeleffizienz von von 21% mit großflächigen Zellen (>100cm²) auf dünnen, monokristallinen Wafern. Außerdem sollten praktisch industriell einsetzbare Zell- und Modulfertigungsprozesse entwickelt werden. Ein weiteres Projekt-Ziel war, zu zeigen, dass die Heterokontakt-Technologie kosteneffizient realisiert werden kann. In einem längerfristig angelegten Projektteil wurden schließlich innovative Zell-Strukturen untersucht, die lateral strukturierte a‑Si:H/c‑Si Heterokontakte in einseitig von der Rückseite her kontaktierten Zellen verwenden („Rückkontakt-Zellen“).

 


Im HETSI-Projekt hat das Helmholtz-Zentrum Berlin vor Allem folgende Themen untersucht: