Öffnet in neuem Fenster Opens in a new window Öffnet externe Seite Opens an external site Öffnet externe Seite in neuem Fenster Opens an external site in a new window

Institut Silizium-Photovoltaik

Electron Beam-Induced Current (EBIC)

  • dient zum Identifizieren von Defekten in Halbleitern
  • der Elektronenstrahl induziert einen Strom in der Probe
  • dieser Strom wird verstärkt und zur Bildgebung genutzt
  • Defekte führen zur Rekombination von Ladungsträgern – der Bereich erscheint dunkel
  • Messungen mit einer Erweiterung der Firma „point electronic“ möglich
  • die Proben müssen kontaktierbar sein
vergrößerte Ansicht

EBIC-Aufnahme einer rekristallisierten Si-Oberfläche in 5000-facher Vergrößerung:

Korngrenzen als besonders gestörte Kristallbereiche erscheinen dunkel