Oberflächenanalytik

Neben der visuellen Oberflächeninformation aus dem Lichtmikroskop verfügt das PVcomB über ein Profilometer, ein konfokales Laserscanning Mikroskop und ein Rasterkraftmikroskop zur topographischen Analyse der Probenoberfläche in angepasster Skalierung.

Lichtmikroskop: Zeiss Axio Scope.A1

  • Hell-/Dunkelfeld
  • Objektive 5x, 10x, 50x und 100x
  • hochauflösende AxioCam-Kamera

Konfokales 3D Laserscanning Mikroskop: KeyenceVK-X260

  • Objektive: 10x , 20x , 50x , 150x
  • Bildfeld: 10x: 1350 x 1012 µm², 150x: 90 x 76 µm²
  • Max. Höhe Messobjekt: 28 mm / Höhenmessbereich: 7 mm
  • Auflösung Kamera für Mikroskopie: bis 3072 × 2304

Konfokaler Laserscanbetrieb:

  • Laser: 408 nm, 0,95 mW
  • Scanauflösung: bis 2048 x 1536
  • Wiederholgenauigkeit Höhenmessung: 20×: 40 nm, 50×: 12 nm, 150×: 12 nm
  • Wiederholgenauigkeit Breitenmessung: 20×: 100 nm, 50×: 40 nm, 150×: 20 nm

Stitching von 100 Aufnahmen mittels motorisiertem Probentisch mit 10 x 10 cm² Verfahrbereich möglich.
Überlagerung von von Mikroskopiebild mit Laserscanbild.

    Profilometer: Bruker Dektak XT

    • 5Å repeatability
    • max. Scan-Länge 55mm
    • aktiv schwingungsgedämpfter Tisch
    • optional Vakuum am Chuck

    Rasterkraftmikroskop: Park Systems XE70

    • max. Probengröße 10 × 10 cm²
    • Scanbereich bis 50 × 50 µm²
    • Auflösung bis 4096 × 4096 pixel
    • maximaler Höhenscanbereich 12 µm
    • integriertes optisches Mikroskop
    • contact / non-contact-Modus, elektrische Messungen

    Abb. 1: AFM-Topografieaufnahme einer strukturierten Zinkoxid-Schicht (S. Neubert).

    Abb. 2: AFM-3D-Darstellung der Topografie einer periodisch strukturierten Silizium-Schicht (S. Neubert).

    Abb. 3:  3D-Darstellung der Topografie eines Kontaktfingers auf einem texturierten Si Wafer (Laser scanning Mikroskop)  (H. Rhein).