Oberflächenanalytik
Neben der visuellen Oberflächeninformation aus dem Lichtmikroskop verfügt das PVcomB über ein Profilometer, ein konfokales Laserscanning Mikroskop und ein Rasterkraftmikroskop zur topographischen Analyse der Probenoberfläche in angepasster Skalierung.
Lichtmikroskop: Zeiss Axio Scope.A1
- Hell-/Dunkelfeld
- Objektive 5x, 10x, 50x und 100x
- hochauflösende AxioCam-Kamera
Konfokales 3D Laserscanning Mikroskop: KeyenceVK-X260
- Objektive: 10x , 20x , 50x , 150x
- Bildfeld: 10x: 1350 x 1012 µm², 150x: 90 x 76 µm²
- Max. Höhe Messobjekt: 28 mm / Höhenmessbereich: 7 mm
- Auflösung Kamera für Mikroskopie: bis 3072 × 2304
Konfokaler Laserscanbetrieb:
- Laser: 408 nm, 0,95 mW
- Scanauflösung: bis 2048 x 1536
- Wiederholgenauigkeit Höhenmessung: 20×: 40 nm, 50×: 12 nm, 150×: 12 nm
- Wiederholgenauigkeit Breitenmessung: 20×: 100 nm, 50×: 40 nm, 150×: 20 nm
Stitching von 100 Aufnahmen mittels motorisiertem Probentisch mit 10 x 10 cm² Verfahrbereich möglich.
Überlagerung von von Mikroskopiebild mit Laserscanbild.
Profilometer: Bruker Dektak XT
- 5Å repeatability
- max. Scan-Länge 55mm
- aktiv schwingungsgedämpfter Tisch
- optional Vakuum am Chuck
Rasterkraftmikroskop: Park Systems XE70
- max. Probengröße 10 × 10 cm²
- Scanbereich bis 50 × 50 µm²
- Auflösung bis 4096 × 4096 pixel
- maximaler Höhenscanbereich 12 µm
- integriertes optisches Mikroskop
- contact / non-contact-Modus, elektrische Messungen
Abb. 1: AFM-Topografieaufnahme einer strukturierten Zinkoxid-Schicht (S. Neubert).
Abb. 2: AFM-3D-Darstellung der Topografie einer periodisch strukturierten Silizium-Schicht (S. Neubert).
Abb. 3: 3D-Darstellung der Topografie eines Kontaktfingers auf einem texturierten Si Wafer (Laser scanning Mikroskop) (H. Rhein).