HZB-Doktorand auf Konferenz ausgezeichnet

Jean-Paul Kleider (co-chair conference committee; l.) gratulierte Eike Gericke (r.) zu seinem Preis. © HZB/ K. Lips

Eike Gericke hat auf der 28th International Conference for Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS) einen Vortrag gehalten, der als “Best Student Talk” ausgezeichnet wurde. Gericke forscht als Doktorand am Institut für Nanospektroskopie des HZB.

Sein Vortrag trug den Titel: „Investigation of the Nanostructure of Hydrogenated Amorphous Silicon using SAXS, SANS and ASAXS“.  Er berichtet darin über die Nanostruktur von amorphem Silizium, wie es beispielsweise in modernen Heterojunction-Solarzellen eingesetzt wird. Diese Ergebnisse können dazu beitragen, den Zusammenhang zwischen elektronischen Eigenschaften und der Nanostruktur von amorphem Silizium besser zu verstehen.

Die dafür nötigen Messungen führte Eike Gericke mithilfe der Kleinwinkelstreuung mit Synchrotronstrahlung an BESSY II und mit Neutronen am BER II durch.

Die 28th International Conference for Amorphous and Nanocrystallien Semiconductors (ICANS) fand vom 4. bis 9. August 2019 in Palaiseau (bei Paris) in der Ecole Polytechnique statt.

(sz)