Zwei PVcomB-Beiträge auf der PVSEC-25 ausgezeichnet
Die Verleihung der PVSEC-25 Paper Awards. Links: Jan-Peter Bäcker und Dritter von rechts: Marc Daniel Heinemann.
Auf der 25th International Photovoltaic Science & Engineering Conference (PVSEC) sind zwei Beiträge aus dem HZB-Institut PVcomB ausgezeichnet worden: Jan-Peter Bäcker und Marc Daniel Heinemann erhielten den PVSEC-25 Paper Award für ihre Forschung zu Chalkogenid-Solarzellen (CIGS). Die PVSEC fand in diesem Jahr vom 15. bis 20. November in Busan, Korea, statt.
Jan-Peter Bäcker und seine Koautoren präsentierten auf der PVSEC-25 ihre Arbeiten zur Phasenseparation in Kupfer-Indium-Gallium-Vorläuferschichten für sequentiell hergestellte CIGS-Solarzellen. Marc Daniel Heinemann und seine Koautoren stellten ihre Arbeiten zur CIGS-Solarzellen in „Superstrat“-Konfiguration vor.
Mehr Informationen und die Zusammenfassung der beiden Beiträge finden Sie auf der Newsseite des PVcomB hier:
"Phase separation and coarsening in Cu-In-Ga precursor thin films for sequentially processed Cu(In,Ga)Se2 solar cells"
J.P. Bäcker, S.S. Schmidt, M. Hartig, C.A. Kaufmann, R. Mainz, H. Rodriguez-Alvarez, C. Wolf, R. Schlatmann
"Revival of CIGSe Superstrate Solar Cells?"
M.D. Heinemann, J. Berry, D. Greiner, M. Wollgarten, T. Unold, R. Klenk, H.-W. Schock, D. Ginley, R. Schlatmann, C. A. Kaufmann
- CIGS-Perowskit-Tandemzelle erreicht Rekordwirkungsgrad von 25,5 %Ein Berliner Team aus Helmholtz-Zentrum Berlin (HZB) und Center for the Science of Materials Berlin (CSMB) an der Humboldt-Universität zu Berlin hat einen neuen Rekord für eine Tandemsolarzelle aufgestellt. Durch die Kombination einer CIGS-Halbleiterschicht mit Perowskit gelang es ihnen, 25,5 % des Sonnenlichts in elektrische Energie umzuwandeln. Der bisherige Rekord für diese Materialkombination und diese Zellgröße lag bei 24,6 %. Der neue Rekord wurde zertifiziert und ist in den Solar Cell Efficiency Tables (den „Green Tables“) zu finden, die als Nachschlagewerk für die weltweite Photovoltaik-Gemeinschaft gelten.
- Unordnung erzeugt neue Eigenschaften in VerbindungshalbleiternEin internationales Forschungsteam hat gezeigt, dass intrinsische Unordnung im Verbindungshalbleiter CuInSnS₄ genutzt werden kann, um dessen optische Eigenschaften zu beeinflussen. Optische Anregungen (Exzitonen) reagieren empfindlich auf die lokale Anordnung der Atome. Dabei zeigen sie überraschenderweise eine richtungsabhängige Reaktion, obwohl die durchschnittliche Kristallstruktur kubisch ist. Diese Erkenntnisse werfen ein neues Licht auf den Zusammenhang zwischen Unordnung und Materialeigenschaften und eröffnen neue Möglichkeiten für ein gezieltes „Unordnungs-Engineering“ in optoelektronischen und photokatalytischen Bauelementen.
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