HZB-Forscherin Catherine Dubourdieu erhält Sonder-Professur an der Freien Universität Berlin
Prof. Dr. Catherine Dubourdieu leitet am HZB das Institut für Funktionale Oxide für die energieeffiziente IT. © M.Setzpfand/HZB
Seit Dezember 2017 ist Catherine Dubourdieu Professorin an der Freien Universität Berlin, die zu den insgesamt elf Elite-Universitäten im Rahmen der deutschen Exzellenz-Initiative zählt. Die gemeinsame Berufung auf eine W3-S-Professur ermöglicht es Catherine Dubourdieu, ihre Forschung am Helmholtz-Zentrum Berlin (HZB) fortzuführen. Die Physikerin gilt als Expertin auf dem Gebiet der funktionalen Metalloxide, die interessante Kandidaten für die Informationstechnologie der Zukunft sind.
„Ich freue mich außerordentlich, dass ich damit zur Lehre und Forschungsmission der Freien Universität beitragen kann. Ich sehe dies als Chance, die gute Kooperation zwischen Freier Universität Berlin und HZB weiter zu vertiefen“, sagt Catherine Dubourdieu. „Mit der Einbindung in die Lehre habe ich nun direkten Kontakt zum wissenschaftlichen Nachwuchs und kann nicht nur Wissen weitergeben, sondern auch talentierte junge Menschen zu uns ins Team holen.“ Die W3-S-Professur ist dem Institut für Chemie an der Freien Universität Berlin zugeordnet.
Catherine Dubourdieu hat in Grenoble studiert und in Physik promoviert. Nach einem Postdoc-Aufenthalt am Stevens Institute of Technology in Hoboken (New Jersey) forschte sie bis 2009 am Laboratoire des Matériaux et du Génie Physique (LMGP) des CNRS in Grenoble. Zwischen 2009 und 2012 war sie Gastforscherin am IBM T.J. Watson Research Center in Yorktown Heights (NY, USA). Dort arbeitete sie auf dem Gebiet der monolithischen Integration von ferroelektrischen Oxiden in Silizium mit dem Ziel, energiesparende logische Bauelemente herzustellen. Im Juni 2012 wechselte sie an das Institut „Nanotechnologies de Lyon“ des CNRS und forschte an funktionalen Oxiden. Für ihre Forschung wurde sie 2014 mit dem IBM Faculty Award ausgezeichnet.
Seit April 2016 baut sie am HZB das Institut „Funktionale Oxide für die energieeffiziente Informationstechnologie" auf. Mit einem wachsenden Team untersucht sie Dünnschichten und Nanostrukturen aus Metalloxiden. Diese gelten als besonders interessante Materialklasse für energieeffiziente Bauelemente. Stapelt man dünne Schichten aus verschiedenen Metalloxiden übereinander, zeigen diese „Sandwich-Strukturen“ neue mechanische, optische und elektromagnetische Eigenschaften, die sich in Bauelementen für vielfältige Zwecke, so auch für die Datenverarbeitung, nutzen lassen. Dabei untersucht sie auch, wie sich Metalloxide mit Halbleitern zu planaren oder nanostrukturierten Systemen kombinieren lassen.
Catherine Dubourdieu ist am Aufbau der Helmholtz Energy Materials Foundry (HEMF) am HZB beteiligt. Dort entstehen aktuell modernste Labore für die Materialsynthese, die auch von externen Forscherinnen und Forschern genutzt werden können. HEMF ist eine große Infrastruktur, die von sechs Helmholtz-Zentren entwickelt wird, um Synthese und Entwicklung neuartiger Materialsysteme für die Energieumwandlung und -Speicherung voran zu treiben. HEMF wird mit insgesamt 46 Millionen Euro (2016-2020) gefördert.
- Ultraschnelle Entmagnetisierung - Dünneres Eisen, stärkere Wirkung
Je dünner eine Eisenschicht, desto leichter lässt sie sich durch einen Laserpuls entmagnetisieren. Forschende der Universität Duisburg-Essen haben gemeinsam mit dem Helmholtz-Zentrum Berlin und weiteren Partner:innen herausgefunden, warum das so ist: Entscheidend ist die magnetische Ordnung an den Grenzflächen des Materials. Die Erkenntnisse könnten langfristig dazu beitragen, neue Technologien für die magnetische Datenspeicherung zu entwickeln. Die Ergebnisse wurden in der Fachzeitschrift Advanced Science veröffentlicht.
- Muster aus polaren Wirbeln in bleifreien Übergittern auf SiliziumEin Team am HZB hat erstmals polare Wirbel in (BaTiO3/SrTiO3)10-Übergittern auf Silizium nachgewiesen. Diese Ergebnisse erweitern das Spektrum an Materialien und Substraten, auf denen polare topologische Texturen auftreten können, und sie eröffnen neue Möglichkeiten für die Einbindung komplexer ferroelektrischer Zustände in siliziumbasierte Technologien.
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