Israel Ibukun Olaniyan erhält Doktorandenpreis der Helmholtz-Gemeinschaft
Dr. Ibukun Olaniyan erhält die Preis-Urkunde vom Präsidenten der Helmholtz-Gemeinschaft Prof. Martin Keller (v.l.n.r.), © Helmholtz / Oliver Walterscheid
Dr. Israel Ibukun Olaniyan hat diese Auszeichnung für seine hervorragende Promotion zu "Ferroelectricity at the nanoscale in epitaxial BaTiO3 on silicon" erhalten. © Helmholtz / Oliver Walterscheid
Bei Helmholtz forschen mehr als 8.000 Doktorandinnen und Doktoranden. Elf von ihnen wurden jetzt mit dem Promotionspreis ausgezeichnet, darunter Dr. Israel Ibukun Olaniyan aus dem HZB. Seine hervorragende Doktorarbeit über "Ferroelectricity at the nanoscale in epitaxial BaTiO3 on silicon" in der Forschungsgruppe von Professor Catherine Dubourdieu befasst sich mit einer neuartigen Nanoelektronik auf Grundlage topologischer Defekte, die zur Entwicklung einer energieeffizienten Informationstechnologie beitragen kann.
Ibukun Olaniyan hat im Team von Professor Catherine Dubourdieu promoviert, mit herausragenden Ergebnissen, die zu aufsehenerregenden Publikationen beigetragen haben.
„Ibukun verkörpert alle Eigenschaften eines Forschers: unstillbare Neugier, den Wunsch, überraschende Ergebnisse zu verstehen, die zu neuen Entdeckungen führen, Kreativität, unermüdlichen Einsatz mit Teamgeist, Genauigkeit und Ausdauer und einem außergewöhnlichen Ehrgeiz“, sagt Catherine Dubourdieu.
„Seine menschlichen Qualitäten haben ihn zu einem hochgeschätzten Teammitglied gemacht. Und diese Qualitäten spiegeln sich auch in seinen Mentoring-Aktivitäten für Jugendliche an weiterführenden Schulen in Nigeria wider, die er während seiner Promotionszeit im Rahmen monatlicher Online-Treffen sowie durch Online-Nachhilfestunden in Physik und Chemie durchführte. Er ist zweifellos ein Vorbild für viele junge Menschen", sagt sie.
In seiner Doktorarbeit hat Ibukun Olaniyan polare Texturen in Ferroelektrika untersucht und dabei entscheidende Fortschritte erreicht: „Er realisierte erstmals topologische polare Zustände auf Silizium, darunter auch chirale, und verwendete dabei eine Verbindung, die keine toxischen Elemente wie Blei enthält“, erläutert Catherine Dubourdieu: „Ibukuns Arbeit stellt einen Schritt in Richtung Topotronik dar, einer neuen Nanoelektronik auf der Grundlage topologischer Defekte, die einen Paradigmenwechsel bei der Bewältigung der energiebezogenen Herausforderungen in der Informationstechnik bewirken könnte“.
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