Abstract:
Bei der Abscheidung von CuInSe2 auf ZnO kommt es zu störender Interdiffusion und Fremdphasenbildung an der Grenzfläche. In dieser Arbeit wurden CuInSe2/i-ZnO- und CuInSe2/ZnO:Al-Grenzflächen in Abhängigkeit der Depositionstemperatur dahingehend untersucht.