Elektronische Inhomogenität in MoS₂-Schichten lässt sich glätten
Die Illustration zeigt MoS2-Gitter (grün: Mo, gelb: S). Der untere Block stellt das Material mit einer frisch abgespaltenen Oberfläche dar. Diese Oberfläche ist unregelmäßig, was sich auch in den Messergebnissen zur elektrischen Struktur der Oberfläche zeigt (eingeblendete farbige Karte). Der obere Block zeigt diese Oberfläche nach Behandlung mit atomarem Wasserstoff (weiße Kugeln). Dadurch wird die Oberfläche gleichmäßiger. © Martin Künsting/HZB
Molybdändisulfid (MoS₂) kann z. B. als Gassensor oder als Photokatalysator bei der grünen Wasserstoffproduktion eingesetzt werden. Obwohl man in der Regel mit der Untersuchung der kristallinen Grundform beginnt, um ein Material zu verstehen, gibt es für MoS₂ viel mehr Studien zu ein- und mehrlagigen Molekularschichten als zum massiven Material. Die wenigen Studien, die bisher durchgeführt wurden, zeigen unterschiedliche und nicht reproduzierbare Ergebnisse für die elektronischen Eigenschaften von frisch abgespaltenen MoS₂-Oberflächen. Diese Frage hat nun ein Team an BESSY II systematisch untersucht.
Dr. Erika Giangrisostomi und ihr Team am HZB haben die systematische Studie an der LowDosePES-Endstation an BESSY II durchgeführt. Sie nutzten Röntgen-Photoelektronenspektroskopie, um die Elektronenenergien über große Oberflächenbereiche von MoS2-Proben zu kartieren. So konnten sie die Veränderungen der elektronischen Eigenschaften von frisch abgespaltenen Oberflächen im Ultrahochvakuum nach dem Tempern und der Einwirkung von atomarem und molekularem Wasserstoff vor Ort verfolgen.
Zwei wesentliche Erkenntnisse hat das Team gewonnen. Erstens zeigt die Studie erhebliche Schwankungen bei den Elektronenenergien für die frisch gespaltenen Oberflächen und demonstriert damit, wie leicht es zu unterschiedlichen Ergebnissen kommen kann. Zweitens zeigt die Studie, dass die Behandlung mit atomarem Wasserstoff bei Raumtemperatur die elektronische Inhomogenität und Instabilität der Oberfläche wirksam neutralisiert. Ein Grund dafür liegt darin, dass Wasserstoffatome ein Elektron entweder annehmen oder abgeben können. „Unsere Hypothese ist, dass atomarer Wasserstoff bei der Neu-Ordnung von Schwefel-Fehlstellen oder Schwefel-Überschuss hilft und so zu einer gleichmäßigeren Verteilung beiträgt“, sagt Erika Giangrisostomi.
Diese Studie ist ein wichtiger Schritt bei der Erforschung von MoS2. Denn MoS2 wird bereits vielfältig eingesetzt, so dass diese Einblicke für Fachleute in der Elektronik, Photonik, Sensorik und Katalyse interessant sind.
- Ultraschnelle Entmagnetisierung - Dünneres Eisen, stärkere Wirkung
Je dünner eine Eisenschicht, desto leichter lässt sie sich durch einen Laserpuls entmagnetisieren. Forschende der Universität Duisburg-Essen haben gemeinsam mit dem Helmholtz-Zentrum Berlin und weiteren Partner:innen herausgefunden, warum das so ist: Entscheidend ist die magnetische Ordnung an den Grenzflächen des Materials. Die Erkenntnisse könnten langfristig dazu beitragen, neue Technologien für die magnetische Datenspeicherung zu entwickeln. Die Ergebnisse wurden in der Fachzeitschrift Advanced Science veröffentlicht.
- Blinder Fleck für die Anordnung der AtomeKünstliche Intelligenz wird zunehmend eingesetzt, um Eigenschaften neuer Materialien vorherzusagen. Ein Forschungsteam aus Jena und den USA zeigt nun in einer im Fachjournal „Nature Computational Science“ Studie: Kommen dabei Sprachmodelle zum Einsatz, erfassen diese zwar zuverlässig, welche Atomsorten ein Material enthält. Informationen über deren räumliche Anordnung nutzen sie jedoch nur unzureichend. Selbst größere Modelle und mehr Trainingsdaten beheben diese Schwäche nicht. Für stark strukturabhängige Materialeigenschaften sind deshalb auf räumliche Strukturen spezialisierte KI-Modelle die verlässlichere Wahl. (DOI: 10.1038/s43588-026-01045-2)
- Muster aus polaren Wirbeln in bleifreien Übergittern auf SiliziumEin Team am HZB hat erstmals polare Wirbel in (BaTiO3/SrTiO3)10-Übergittern auf Silizium nachgewiesen. Diese Ergebnisse erweitern das Spektrum an Materialien und Substraten, auf denen polare topologische Texturen auftreten können, und sie eröffnen neue Möglichkeiten für die Einbindung komplexer ferroelektrischer Zustände in siliziumbasierte Technologien.