Visitenkarte
Dr. Bernd Stannowski
Physiker
Institut Kompetenz-Zentrum Photovoltaik Berlin (PVcomB)
(030) 8062 - 15677
bernd.stannowski@helmholtz-berlin.de
Themen
- Silizium basierte Solarzellen
- Silizium Dünnschicht-Technologie
- a-Si:H und µc-Si:H basierte Bauelemente
- Produktion von Si Dünnschichtsolarmodulen und Technologietransfer
Berufserfahrung
seit Okt. 2010
Gruppenleiter Thin-Film Silicon Photovoltaics am PVcomB.
2007 - 2010
Abteilungsleiter Prozess-Entwicklung bei Sunfilm AG (bis April 2009 Sontor GmbH), Themen: Ramp-up & Entwicklung von a-Si:H/µc-Si:H Tandem Modulen in der Production.
2003 - 2006
Entwicklungsingenieur bei Akzo Nobel bv (Projekt "Helianthos"), Entwicklung von flexiblen Silizium Dünnschichtsolarzellen und Modulen.
2002 - 2003
post doc an der Utrecht University, Thema: Entwicklung von a-Si basierten Solarzellen.
Ausbildung
1998 - 2002
Promotion an der Universität Utrecht (NL), Title: “Silicon-based thin-film transistors with a high stability”.
1996 - 1997
Physik Diplomarbeit am Forschungszentrum Jülich, "Transiente Photoströme in amorphenDünnschicht-Halbleitern - Experiment und Simulation an p-i-n Solarzellen".
1991 - 1996
Physikstudium an der RWTH Aachen und Universität Duisburg (Grundstudium).