LEEM-PEEM
LEEM-PEEM
Kombiniertes Niederenergie-/Photoemissions- Elektronenmikroskop mit Aberrationskorrektur.
Station data | |
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Temperature range | 300-1600 K |
Pressure Range | 4 E-10 -- 1 E-7 mbar |
Detector | two-stage MCP (Hamamatsu) |
Manipulators | 5-Axis Piezo-contolled |
Sample holder compatibility | special SPECS
samples 9mm |
Beamline(s) | |
Ortsauflösung LEEM-Modus | 2 nm |
Ortsauflösung PEEM-Modus | 20 nm |
Enddruck | 4E-10 mbar |
Präparationskammer | * Sputtering up to 1.5kV * Sample temp. range 300 - 1200 K * pyrometric temp. measurement * LEED * Auger * gas inlets: Ar, O2, user specific * base pressure 1E-10 mbar |
Telefon | +49 30 8062 14714 |
Methods
NEXAFS, XMCD, Photoelectron EM, X-ray MicroscopyDieses Mikroskop ist mit einem neuartigen Aberrationskorrektor ausgestattet, der elektronenoptische Abbildungsfehler minimiert und dadurch gleichzeitig Transmission und Ortsauflösung erhöht. Im LEEM-Betrieb wurden im Labor bereits 2 nm nachgewiesen. In Kombination mit weicher Röntgenstrahlung (XPEEM) können orstaufgelöste spektroskopische Untersuchungen (NEXAFS, XPS) sowie magnetische Messungen (XMCD,XMLD) durchgeführt werden. Eine kürzlich installierte Erweiterung erlaubt stroboskopische XPEEM-Experimente zur Magnetisierungsdynamik.